2N7000-G

商品型号 :

2N7000-G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MICROCHIP/ATMEL

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3891

系列

--

包装

袋

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

200mA(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5 欧姆@500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@1mA

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

60pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-92-3

封装/外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

基本产品编号

2N7000

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99