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SQJ140EP-T1_GE3

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商品SQJ140EP-T1_GE3规格参数

商品型号 :

SQJ140EP-T1_GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

8040

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

266A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.1 毫欧@15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

64 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3855pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

263W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

基本产品编号

SQJ140

ECCN

EAR99

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  • SQJ140EP-T1_GE3

    品牌: VISHAY(威世)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PowerPAK® SO-8

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  • SQJ140EP-T1_GE3

    品牌: VISHAY(威世)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PowerPAK® SO-8

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