SIZ998BDT-T1-GE3

商品型号 :

SIZ998BDT-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2894

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 N 通道(双),肖特基

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

23.7A(Ta),54.8A(Tc),36.2A(Ta),94.6A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.39 欧姆@15A,10V,2.4 欧姆@19A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

18nC@10V,46.7nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

790pF@15V,2130pF@15V

功率 - 最大值

3.8W(Ta),20W(Tc),4.8W(Ta),32.9W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件封装

8-PowerPair®(6x5)

基本产品编号

SIZ998

REACH 状态

未明确供应商

ECCN

EAR99