CSD87333Q3DT

商品型号 :

CSD87333Q3DT

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2005+

包装 :

Cut Strips

库存 :

5

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能

逻辑电平栅极,5V 驱动

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

15A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

14.3 毫欧@4A,8V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

4.6nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

662pF@15V

功率 - 最大值

6W

工作温度

125℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

8-VSON(3.3x3.3)

基本产品编号

CSD87333Q3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99