TSM80N08CZ C0G

商品型号 :

TSM80N08CZ C0G

类目 :

其它

品牌 :

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

104

批次 :

1731+

包装 :

--

库存 :

123

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

75V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

8 毫欧@40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3905pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

113.6W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)