PMXB350UPEZ

商品型号 :

PMXB350UPEZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

NXP(恩智浦)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2233+

包装 :

--

库存 :

26500

系列

--

包装

散装

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.2V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

447 毫欧@1.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

950mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.3 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

116pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

360mW(Ta),5.68W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DFN1010D-3

封装/外壳

3-XDFN 祼焊盘

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99