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IPB80N04S403ATMA1
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分类：
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封装：
PG-TO263-3-2
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描述：
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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商品IPB80N04S403ATMA1规格参数
商品型号 :
IPB80N04S403ATMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
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1000
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1000
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
1000
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
3.3 毫欧@80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@53µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
66 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5260pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
94W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
基本产品编号
IPB80N
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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