CSD86311W1723

商品型号 :

CSD86311W1723

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

1

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

1431

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.5A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

39 毫欧@2A,8V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

4nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

585pF@12.5V

功率 - 最大值

1.5W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

12-UFBGA,DSBGA

供应商器件封装

12-DSBGA

基本产品编号

CSD86311

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99