NTTFD2D8N03P1E

商品型号 :

NTTFD2D8N03P1E

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

1603

系列

PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

16.1A(Ta),80A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.5 毫欧@18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@400µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

20.8nC@10V,20.5nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1500pF@15V,1521pF@15V

功率 - 最大值

1.04W(Ta),26W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

12-PowerWQFN

供应商器件封装

12-WQFN(3.3x3.3)

基本产品编号

NTTFD2

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99