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XP231P02013R-G

阶梯

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含税

102000+

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¥4.6215

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  • 库存:2080
  • 起订量:102000
  • 倍数:102000

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥471393.00

  • 包装:卷带(TR)
  • 最小包装量:1

商品XP231P02013R-G规格参数

商品型号 :

XP231P02013R-G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOREX(特瑞仕)

最小包装量 :

1

起订量 :

102000

批次 :

--

包装 :

卷带(TR)

库存 :

2080

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

200mA(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5 欧姆@100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.2V@250µA

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

34pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

350mW(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-323-3A

封装/外壳

SC-70,SOT-323

基本产品编号

XP231

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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