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AONS1R6A70

阶梯

美金

含税

3000+

$5.7407

¥47.6686

9000+

$5.174

¥42.963

关税
  • 库存:2141
  • 起订量:3000
  • 倍数:3000

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥143005.80

  • 包装:卷带(TR)
  • 最小包装量:1

商品AONS1R6A70规格参数

商品型号 :

AONS1R6A70

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ALPHA/AOS

最小包装量 :

1

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

卷带(TR)

库存 :

2141

系列

aMOS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.1A(Ta),4.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.6 欧姆@1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

8 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

354pF@100 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

4.1W(Ta),78W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-DFN-EP(5x6)

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

AONS1R6

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • AONS1R6A70

    品牌: ALPHA/AOS

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-DFN-EP(5x6)

    库存: 2141

    标准包: 1

    增量: 3000

    3000+

    $5.7407

    ¥47.6686

    9000+

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    大陆: 10-13工作日
    香港: 8-11工作日
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    合计:¥143005.80

    起订量:3000

    倍数:3000

    关税

    官方客服电话:400-900-7975

  • AONS1R6A70

    品牌: ALPHA/AOS

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-DFN-EP(5x6)

    库存: 2141

    标准包: 1

    增量: 1

    1+

    $20.6425

    ¥171.4091

    10+

    $13.1721

    ¥109.3772

    50+

    $9.9441

    ¥82.5724

    100+

    $8.9027

    ¥73.9256

    500+

    $7.075

    ¥58.7489

    大陆: 10-13工作日
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