F899MR07W1D7B11ABPSA1

商品型号 :

F899MR07W1D7B11ABPSA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

25

批次 :

2501+

包装 :

--

库存 :

816

系列

EasyPACK™

包装

托盘

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

8 N-Channel

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A(Tj)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

119 毫欧@12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.45V@580µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

48nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2310pF@400V

功率 - 最大值

--

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

--

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99