IPB018N10NM8ATMA1

商品型号 :

IPB018N10NM8ATMA1

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

24

系列

OptiMOS™ 8

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

31A(Ta),176A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

8V,15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.76 毫欧@75A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.2V@174µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

200 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

13000pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.8W(Ta),357W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99