NGW50T65M3DFQQ

商品型号 :

NGW50T65M3DFQQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

25+

包装 :

--

库存 :

255150

系列

--

包装

卷带(TR)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

80A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.9V@15V,50A

功率 - 最大值

368W

开关能量

1.52mJ(导通),770µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

166 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

29ns/223ns

测试条件

400V,50A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

94ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99