ALD212900APAL

商品型号 :

ALD212900APAL

类目 :

其它

品牌 :

ALD

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

1

系列

EPAD®,Zero Threshold™

包装

管件

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)配对

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

10.6V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

80mA

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

14 欧姆

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

10mV@20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

--

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

30pF@5V

功率 - 最大值

500mW

工作温度

0℃~70℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

8-DIP(0.300",7.62mm)

供应商器件封装

8-PDIP

基本产品编号

ALD212900

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99