ALD114913SAL

商品型号 :

ALD114913SAL

类目 :

其它

品牌 :

ALD

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

295

系列

EPAD®

包装

管件

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)配对

FET 功能

耗尽模式

漏源电压(Vdss)

10.6V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

12mA,3mA

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

500 欧姆@2.7V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.26V@1µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

--

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2.5pF@5V

功率 - 最大值

500mW

工作温度

0℃~70℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

ALD114913

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99