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4N60F

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  • 包装:管件
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商品4N60F规格参数

商品型号 :

4N60F

类目 :

其它

品牌 :

EVVO(翊欧)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

152

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.8 欧姆@1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

13.5 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

462pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

30W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220F

封装/外壳

TO-220-3 整包

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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