DMN2013UFDEWQ-13

商品型号 :

DMN2013UFDEWQ-13

类目 :

其它

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

10000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

10.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11 毫欧@8.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

52.6 nC@8 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2508pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

810mW(Ta)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

U-DFN2020-6(SWP)

封装/外壳

6-UDFN 祼焊盘

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99