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货期:
品牌:
分类:
封装:
8-HSON
描述:
MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
商品型号 :
NP23N06YDG-E1-AY
类目 :
品牌 :
Renesas(瑞萨)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
剪切带(CT)
库存 :
9096
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
27 毫欧@11.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
41 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1800pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
1W(Ta),60W(Tc)
工作温度
175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-HSON
封装/外壳
8-SMD,扁平引线裸焊盘
基本产品编号
NP23N06
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
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大陆交货(含税)
库存: 400000
标准包: 5000
增量: 1
批次: 26+
10+
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