NVT2016N090M2

商品型号 :

NVT2016N090M2

类目 :

其它

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

800

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

698

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

900V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

148A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

23 毫欧@60A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.3V@20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

250 nC@18 V

Vgs(最大值)

+22V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5340pF@450 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

789W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

T2PAK

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),变体

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99