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IMDQ75R016M2HXTMA1
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品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-HDSOP-22
-
描述：
IMDQ75R016M2HXTMA1
- 包装：剪切带（CT）
- 最小包装量：750
IMDQ75R016M2HXTMA1其他库存
商品IMDQ75R016M2HXTMA1规格参数
商品型号 :
IMDQ75R016M2HXTMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
750
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
剪切带（CT）
库存 :
388
系列
CoolSiC™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
840V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
103A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,20V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
14 毫欧@55.8A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V@12.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
74 nC@18 V
Vgs(最大值)
+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2577pF@500 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
394W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HDSOP-22
封装/外壳
22-PowerBSOP 模块
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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