SQ2361CEES-T1_GE3

商品型号 :

SQ2361CEES-T1_GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

5

批次 :

2626+

包装 :

--

库存 :

2799

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

170 毫欧@2.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

15 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

620pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99