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SISH892BDN-T1-GE3

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品牌：

VBsemi(微碧半导体)
分类：

场效应管(MOSFET)
封装：

DFN-8
描述：

台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道,100V;21A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1.8V;主要适用于100V、20A左右的中等频率功率开关场景,核心定位是初级侧开关、DC-DC转换和电机驱动等。

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商品SISH892BDN-T1-GE3规格参数

商品型号 :

SISH892BDN-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VBsemi(微碧半导体)

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SISH892BDN-T1-GE3

品牌： VISHAY(威世)

分类： 场效应管(MOSFET)

封装： PowerPAK® SO-8DC

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SISH892BDN-T1-GE3

品牌： VISHAY(威世)

分类： 场效应管(MOSFET)

封装： PowerPAK® SO-8DC

库存： 6000

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批次： 2531+

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$1.1212

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