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场效应管(MOSFET)IPD50R280CEAUMA1-VB采购_元器件采购商城

IPD50R280CEAUMA1-VB

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¥21.174

  • 品牌:

    VBsemi(微碧半导体)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-252

  • 描述:

    台积电流片,长电封测。一款单极性N型功率场效应晶体管(MOSFET),门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性,阈值电压较低(3.3V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为290mΩ,提供可靠的导通特性,漏极电流为15A,封装为TO252,易于安装和散热。具有高达500V的漏源极耐压和较高的电流处理能力。其设计专为高电压应用和需要高效开关性能的场合而优化。提供了较高的耐压和良好的导通电阻,适用于各种高功率和高电压的开关应用

  • 最小包装量:2500
  • 批次:2450+

商品IPD50R280CEAUMA1-VB规格参数

商品型号 :

IPD50R280CEAUMA1-VB

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VBsemi(微碧半导体)

最小包装量 :

2500

起订量 :

5

批次 :

2450+

包装 :

--

库存 :

10

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