NTLCC5D0N10GN1TWG

商品型号 :

NTLCC5D0N10GN1TWG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2500

系列

--

包装

卷带(TR)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

146A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5mOhm@20A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.1V@5.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

5.2 nC@5 V

Vgs(最大值)

+6V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

681pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

208W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PTFP-N9

封装/外壳

9-PowerVDFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99