百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > DMZ1015E

DMZ1015E

阶梯

美金

含税

1+

--

¥1.4324

10+

--

¥1.1649

30+

--

¥0.9474

100+

--

¥0.8434

300+

--

¥0.7603

3000+

--

¥0.708

  • 库存:60
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-3工作日

数量:

- +

合计:

¥1.4324

  • 品牌:

    ARK(方舟微)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):27V 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 栅极电压(Vgs):±30V

  • 最小包装量:3000
  • 批次:2527+

商品DMZ1015E规格参数

商品型号 :

DMZ1015E

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ARK(方舟微)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

2527+

包装 :

--

库存 :

60

DMZ1015E 相关商品推荐

商品图片
型号/品牌/参数
库存/包装/批次

阶梯

香港交货

大陆交货(含税)

交期
合计
操作

优惠券

可领取的券

云芯AI助手