DMZ11C55EA

• 库存：10
• 起订量：1
• 倍数：1

• 品牌：

  ARK(方舟微)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 描述：

  数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):20mA 导通电阻(RDS(on)):600Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):560pC 输入电容(Ciss):11.4pF 反向传输电容(Crss):3.5pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):7.7pF 栅极电压(Vgs):±20V

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• 最小包装量：3000
• 批次：2502+