百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > FTD03P20G
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-252
描述:
数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):2.4V 栅极电荷量(Qg):6.5nC@10V 输入电容(Ciss):228.3pF 反向传输电容(Crss):6.4pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:P沟道
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