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AOD4132

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  • 品牌:

    UMW(友台)

  • 分类:

    其它

  • 封装:

    TO-252

  • 描述:

    特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。 漏源电压(VDS):30V。 漏极电流(ID):85A(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 4mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 6mΩ(VGS = 4.5V)

  • 最小包装量:2500
  • 批次:26+

商品AOD4132规格参数

商品型号 :

AOD4132

类目 :

其它

品牌 :

UMW(友台)

最小包装量 :

2500

起订量 :

1

批次 :

26+

包装 :

--

库存 :

2500

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

85A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

76 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4400pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),100W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252(DPAK)

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

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