RD3N03BATTL1

商品型号 :

RD3N03BATTL1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

2500

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

22

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

56 毫欧@15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

50 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2200pF@40 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

54W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99