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SIHB6N80AE-GE3

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合计:

¥21.427

  • 品牌:

    VISHAY(威世)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    D2PAK(TO-263)

  • 描述:

    N沟道功率MOSFET,具有低品质因数、低有效电容、超低栅极电荷、雪崩能量额定值和集成齐纳二极管ESD保护,可降低开关和传导损耗

  • 最小包装量:50

商品SIHB6N80AE-GE3规格参数

商品型号 :

SIHB6N80AE-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

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包装 :

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库存 :

19

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