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FDN306P

阶梯

美金

含税

10+

--

¥0.3303

100+

--

¥0.2582

300+

--

¥0.2215

3000+

--

¥0.1938

6000+

--

¥0.1719

9000+

--

¥0.1601

  • 库存:2756
  • 起订量:10
  • 倍数:10

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥3.303

  • 包装:编带
  • 最小包装量:3000

商品FDN306P规格参数

商品型号 :

FDN306P

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Slkor(萨科微)

最小包装量 :

3000

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

编带

库存 :

2756

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

12V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

40 毫欧@2.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

11.3 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1015pF@9 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

500mW(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

REACH 状态

参见具体零件

ECCN

EAR99

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