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货期:
品牌:
分类:
封装:
SOT-563
描述:
互补对增强型MOSFET,低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、超小表面贴装封装、无铅且符合RoHS标准
商品型号 :
DMC62D2SVQ-7
类目 :
品牌 :
DIODES(美台)
最小包装量 :
3000
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
183
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道互补型
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
480mA(Ta),320mA(Ta)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 欧姆@200mA,10V,4 欧姆@200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@250µA,3V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.04nC@10V,1.1nC@10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
41pF@30V,40pF@25V
功率 - 最大值
500mW(Ta)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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