百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IXTP120P065T
阶梯
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¥38.6932
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¥35.3626
货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-220AB
描述:
P沟道增强型雪崩额定功率MOSFET,采用国际标准封装,具有扩展FBSOA、快速本征二极管、低RDS(on)和Qg等特性
商品型号 :
IXTP120P065T
类目 :
品牌 :
Littelfuse/IXYS
最小包装量 :
50
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
1
系列
TrenchP™
包装
管件
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
65V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧@500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
185 nC@10 V
Vgs(最大值)
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13200pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
298W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IXTP120
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 400000
标准包: 1000
增量: 1
批次: 26+
10+
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