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IXTP120P065T

阶梯

美金

含税

1+

--

¥38.6932

10+

--

¥37.3596

50+

--

¥36.3444

100+

--

¥35.3626

  • 库存:1
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥38.6932

  • 品牌:

    Littelfuse/IXYS

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    P沟道增强型雪崩额定功率MOSFET,采用国际标准封装,具有扩展FBSOA、快速本征二极管、低RDS(on)和Qg等特性

  • 最小包装量:50

商品IXTP120P065T规格参数

商品型号 :

IXTP120P065T

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1

系列

TrenchP™

包装

管件

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

65V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

10 毫欧@500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

185 nC@10 V

Vgs(最大值)

±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

13200pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

298W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IXTP120

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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