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IXFP14N85XM

阶梯

美金

含税

1+

--

¥42.2442

10+

--

¥37.5057

50+

--

¥34.5795

100+

--

¥31.6854

500+

--

¥30.20

1000+

--

¥29.3516

  • 库存:159
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥42.2442

  • 品牌:

    Littelfuse/IXYS

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-220

  • 描述:

    N沟道增强型850V功率MOSFET,具有低导通电阻和低封装电感,适用于开关模式和共振模式电源等

  • 最小包装量:50

商品IXFP14N85XM规格参数

商品型号 :

IXFP14N85XM

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

159

系列

HiPerFET™,Polar

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

850V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

14A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

550 毫欧@7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

30 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1043pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

38W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3 整包

基本产品编号

IXFP14

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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