百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IPG20N06S4L-26-MS

IPG20N06S4L-26-MS

阶梯

美金

含税

1+

--

¥3.9535

10+

--

¥3.2184

30+

--

¥2.8864

100+

--

¥2.4944

500+

--

¥1.7444

1000+

--

¥1.6264

  • 库存:1
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥3.9535

  • 品牌:

    MSKSEMI(美森科)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    DFN-8L(5x6)

  • 描述:

    采用先进SGT MOSFET技术的双N沟道MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

  • 最小包装量:5000

商品IPG20N06S4L-26-MS规格参数

商品型号 :

IPG20N06S4L-26-MS

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MSKSEMI(美森科)

最小包装量 :

5000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1

优惠券

可领取的券

云芯AI助手