50N03

• 库存：5000
• 起订量：1
• 倍数：1

• 品牌：

  TDD(台冠)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  TO-252-2L

• 描述：

  MOS配置 独立式；沟道类型 N 沟道；漏源击穿电压（Vds) 30V；连续漏极电流（Id) 50A；栅极开启电压 (Vgs (th)) 2~4V；导通内阻 (Rds (on))≤12mΩ@Vgs=10V；耗散功率 (Pd) 2.5W；工作结温范围 - 55℃~+150℃

  展开

• 最小包装量：2500