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    场效应管(MOSFET)GC3M018065E采购_元器件采购商城
    数据手册

    GC3M018065E

    阶梯

    美金

    含税

    1+

    --

    ¥3.5568

    10+

    --

    ¥2.7865

    30+

    --

    ¥2.4444

    100+

    --

    ¥2.033

    • 库存：86
    • 起订量：1
    • 倍数：1

    货期：

    大陆: 2-4工作日

    数量：

    - +

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    ¥3.5568

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    • 品牌：

      SUPSiC(国晶微)

    • 分类：

      场效应管(MOSFET)

    • 封装：

      TO-252

    • 描述：

      碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ

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    • 最小包装量：2500

    商品GC3M018065E规格参数

    商品型号 :

    GC3M018065E

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    SUPSiC(国晶微)

    最小包装量 :

    2500

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    1

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