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    百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > GC3M050065E

    场效应管(MOSFET)GC3M050065E采购_元器件采购商城
    数据手册

    GC3M050065E

    阶梯

    美金

    含税

    5+

    --

    ¥1.8925

    50+

    --

    ¥1.4794

    150+

    --

    ¥1.297

    • 库存：157
    • 起订量：5
    • 倍数：5

    货期：

    大陆: 2-4工作日

    数量：

    - +

    合计：

    ¥9.4625

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    • 品牌：

      SUPSiC(国晶微)

    • 分类：

      场效应管(MOSFET)

    • 封装：

      TO-252

    • 描述：

      碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800 VId电流 @25℃：8A Rds (on) 导通电阻：500mΩ

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    • 最小包装量：2500

    商品GC3M050065E规格参数

    商品型号 :

    GC3M050065E

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    SUPSiC(国晶微)

    最小包装量 :

    2500

    起订量 :

    5

    批次 :

    --

    包装 :

    --

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    157

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