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MSC180SMA120B4N

阶梯

美金

含税

30+

--

¥44.4205

60+

--

¥43.9213

90+

--

¥43.4333

120+

--

¥42.956

  • 库存:2070
  • 起订量:30
  • 倍数:30

货期:

大陆: 15-20

数量:

- +

合计:

¥1332.615

  • 最小包装量:30

商品MSC180SMA120B4N规格参数

商品型号 :

MSC180SMA120B4N

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MICROCHIP/ATMEL

最小包装量 :

30

起订量 :

30

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2070

系列

MSiC™ MA

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

21A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V,20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

225 毫欧@8A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

36 nC@20 V

Vgs(最大值)

+23V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

481pF@1200 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

147W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-4

封装/外壳

TO-247-4

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

优惠券

可领取的券

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