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DN1509T-V/C6X

阶梯

美金

含税

3000+

--

¥4.3182

6000+

--

¥4.2697

9000+

--

¥4.2222

12000+

--

¥4.1758

  • 库存:9000
  • 起订量:3000
  • 倍数:3000

货期:

大陆: 15-20

数量:

- +

合计:

¥12954.60

  • 最小包装量:3000

商品DN1509T-V/C6X规格参数

商品型号 :

DN1509T-V/C6X

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MICROCHIP/ATMEL

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

9000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

90V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

--

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

0V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

6 欧姆@200mA,0V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@10µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

150pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

790mW(Ta)

工作温度

--

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

ECCN

EAR99

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