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货期:
品牌:
分类:
封装:
SOP-8
描述:
本场效应管(MOSFET)为N+N沟道组合结构,具备良好的导通特性和开关响应。其最大漏极电流ID为10A,漏源耐压VDSS达30V,适用于中高功率电源系统。导通电阻RDON仅为12mΩ,有效降低功率损耗并提升整体效率。该器件可广泛应用于电源转换器、同步整流、电池管理系统及高性能计算设备中的开关电路,具备稳定的工作表现和较强的适用性。
商品型号 :
FDS6982AS-HXY
类目 :
品牌 :
HXY MOSFET(华轩阳电子)
最小包装量 :
3000
起订量 :
1
批次 :
25+
包装 :
--
库存 :
5
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