NSF017120T1A0HP

商品型号 :

NSF017120T1A0HP

类目 :

其它

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1600

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

111A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

26 毫欧@71A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.9V@7.1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

196 nC@18 V

Vgs(最大值)

+22V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4690pF@800 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

469W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

QDPAK

封装/外壳

22-PowerBSOP 模块

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99