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    场效应管(MOSFET)SIHL023N60E-GE3采购_元器件采购商城
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    商品SIHL023N60E-GE3规格参数

    商品型号 :

    SIHL023N60E-GE3

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    VISHAY(威世)

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    1

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    批次 :

    --

    包装 :

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    库存 :

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    系列

    E

    包装

    管件

    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    600V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    96A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    10V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    23 毫欧@38A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V@250µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    225 nC@10 V

    Vgs(最大值)

    ±30V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    10291pF@100 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    521W(Tc)

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    等级

    --

    资质

    --

    安装类型

    通孔

    供应商器件封装

    TO-247AD-4L

    封装/外壳

    TO-247-4

    ECCN

    EAR99

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    • SIHL023N60E-GE3_场效应管(MOSFET)
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      SIHL023N60E-GE3

      品牌： VISHAY(威世)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-247AD-4L

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    • SIHL023N60E-GE3_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      SIHL023N60E-GE3

      品牌： VISHAY(威世)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-247AD-4L

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