ECB2R1M12YM3

商品型号 :

ECB2R1M12YM3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2618+

包装 :

--

库存 :

1

系列

--

包装

盒

技术

碳化硅(SiC)

配置

6 N 沟道(三相逆变器)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

700A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.8 毫欧@550A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.6V@167mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1696nC@15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

51300pF@800V

功率 - 最大值

1852W

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

--

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99