G35N02S

商品型号 :

G35N02S

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

4000

起订量 :

4000

批次 :

2540+

包装 :

--

库存 :

4000

系列

Trench

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

18 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1100pF@10 V

功率耗散(最大值)

2.6W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SOP

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99