NV6012C-RA

商品型号 :

NV6012C-RA

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Navitas

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

973

系列

GaNFast™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

7V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

600 毫欧@1.35A,7V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.8V@2.3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.85 nC@6 V

Vgs(最大值)

+7V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

28pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

25.4W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-QFN(5x6)

封装/外壳

8-PowerVDFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99