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SIR462DP-T1-GE3

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货期:

大陆: 3-5工作日
香港: 3-5工作日

数量:

- +

合计:

¥3.9419

  • 品牌:

    VISHAY(威世)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    SO-8

  • 描述:

    类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):4.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA

  • 包装:卷装(TR)/3000
  • 最小包装量:1
  • 批次:超5年

商品SIR462DP-T1-GE3规格参数

商品型号 :

SIR462DP-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

超5年

包装 :

卷装(TR)/3000

库存 :

6

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