百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > SIR462DP-T1-GE3
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货期:
品牌:
分类:
封装:
SO-8
描述:
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):4.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
商品型号 :
SIR462DP-T1-GE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
超5年
包装 :
卷装(TR)/3000
库存 :
6
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