GC190N65QF

商品型号 :

GC190N65QF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

30

系列

--

包装

管件

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

19A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

190 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.6V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

功率耗散(最大值)

148W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247

封装/外壳

TO-247-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99