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SI2323DS

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  • 品牌:

    UMW(友台)

  • 分类:

    其它

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    750mW(Ta) 12V 1V@ 250µA 12nC@ 4V 1个P沟道 20V 39mΩ@ 4.7A,4.5V 3.7A 954pF SOT-23 贴片安装

  • 最小包装量:3000
  • 批次:2250+

商品SI2323DS规格参数

商品型号 :

SI2323DS

类目 :

其它

品牌 :

UMW(友台)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

2250+

包装 :

--

库存 :

2

系列

x

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

39 毫欧@4.7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

Vgs(最大值)

±8V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

750mW(Ta)

工作温度

-55℃~155℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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